半导体工业所用的硅单晶（）是用CZ法生长的。

熔体生长单晶所用坩埚材料遵循哪些原则？

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半导体硅工业产品不包括（）①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅

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简述熔体法生长单晶的特点以及主要方法？

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直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）

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半导体单晶中的点缺陷包括什么？

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单晶的主要特性及应用领域单晶的生长方法的分类是怎样的？

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（）是半导体单晶重要电学参数之一，它反映了补偿后的杂质浓度，与半导体中的载流子浓度有直接关系。

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在制造硅半导体器体中，常使硼扩散到硅单晶中，若在1600K温度下，保持硼在硅单晶表面的浓度恒定（恒定源半无限扩散），要求距表面10-3cm深度处硼的浓度是表面浓度的一半，问需要多长时间（已知D1600℃＝8×10-12cm2/s；当时，）？

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