单选题
A内部缺陷处的漏磁通，比同样大小的表面缺陷为大
B缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比
C表面缺陷的漏磁通密度，随着离开表面距离的增加而急剧减弱
D用有限线圈磁化长的试件，不需进行分段磁化
正确答案
答案解析
略
相似试题
下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述（）是正确的
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下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的（）
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下列关于缺陷漏磁通的叙述，正确的是（）
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下列关于漏磁通的叙述，正确的是（）
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下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）
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下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）
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在磁粉探伤时，缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的磁通密度有关
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在磁粉探伤时，缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的（）有关；与缺陷的（）和（）有关
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在磁粉探伤时，缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的（）有关，与缺陷的（）和（）有关
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