悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时，采用快速区熔法的工艺时，第一次区熔时，第一区熔区停留挥发时间（）左右。
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悬浮区熔的优点不包括（）
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半导体硅工业产品不包括（）①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅
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一般三级处理能够去除（）的BOD、磷、悬浮固体和细菌。
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多晶硅的生产方法主要包含：（）1、SiCl4法2、硅烷法3、流化床法4、西门子改良法5、冶金法6、气液沉淀法7、重掺硅废料提纯法
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多晶硅的生产方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重掺硅废料提纯法4）西门子改良法5）SiCl4法6）气液沉淀法7）流化床法
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要控制焊缝磷的含量，主要是严格控制（）中的磷含量。
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水中硅含量是指（）和活性硅之和。
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简述常压单晶外延和多晶薄膜沉积装置。
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