用16K×1位的DRAM芯片组成64K×8位的存储器,要求画出该存储器组成的逻辑框图。
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用16K x 1位的DRAM芯片组成64K x 8位的存储器,要求画出该存储器组成的逻辑框图。
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用16k×8位的存储芯片,组成64k×16位的存储器,需要用()片。
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用16k×8位的存储芯片,组成64k×16位的存储器,需用()扩展,要用()片。
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用16K×16位的SRAM芯片构成64K×32位的存储器。要求画出该存储器的组成逻辑框图。
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用2k×8位的存储芯片,组成16k×8位的存储器,需用()扩展,要用()片。
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有一个64K×16位的存储器,由16K×1位的DRAM芯片(芯片内是128×128结构)构成,存储器读/写周期为500ns,试问: 1)需要多少片DRAM芯片? 2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少? 3)如果采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少时间?
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若用4K×1位的RAM芯片组成16K×8位的存储器,需要多少芯片?A19~A0地址线中哪些参与片内寻址?哪些作为芯片组的片选信号?
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用2K×4位的RAM芯片组成16K字节的存储器,共需RAM芯片为多少()
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