离子注入的沟道效应

简述沟道效应的含义及其对离子注入可能造成的影响如何避免？

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离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。

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简述离子注入效应。

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短沟道效应

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沟道长度调制效应

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侧墙用来环绕多晶硅栅，防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通。

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绝缘栅场效应管根据导电沟道的不同，可分为（）和（）两种类型。

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根据栅—源电压为零时，导电沟道是否存在，将场效应管分为（）和耗尽型。

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离子注入的缺点之一是注入设备的复杂性。

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