简答题

试述兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位作用及原理?

正确答案

(1)EPSP:突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部去极化电位变化。
原理:兴奋性递质作用于突触后膜的相应受体,使递质门控通道开放,后膜对Na+和K+的通透性增大,并且由于Na+的内流大于K+外流,故发生净内向电流,导致细胞膜的局部去极化。
(2)IPSP:突触后膜在某种神经递质下产生局部超极化电位变化。
原理:抑制性中间神经元释放的抑制性递质作用于突出后膜,使后膜上的递质门控氯通道开放,引起外向电流,结果使突出后膜发生超极化。
作用:突出后膜上电位改变的总趋势决定于EPSP和IPSP的代数和。

答案解析

相似试题
  • 突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征,下列哪项是错误的()

    单选题查看答案

  • 兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位分别是如何产生的?

    简答题查看答案

  • 兴奋性与抑制性突触后电位相同点是()

    单选题查看答案

  • 兴奋性突触后电位是指突触后膜出现()

    单选题查看答案

  • 兴奋性突触后电位产生时,突触后膜局部的变化为()

    单选题查看答案

  • 兴奋性突触后电位产生时,突触后膜局部的变化为()

    单选题查看答案

  • 兴奋性突触后电位是

    单选题查看答案

  • 兴奋性突触后电位

    名词解析查看答案

  • 兴奋性突触后电位的电变化是

    单选题查看答案