双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是MCT。

双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是IGBT。

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双极型功率晶体管与VDMOS的复合器件是（）。

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绝缘栅双极型晶体管是一种双导通机制的复合器件。

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MOSFET属于双极型器件。

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由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。

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绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极（），以（）复合而成。

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双极型晶体管可以用来产生、放大和处理各种（）。

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电力电子开关器件的发展经历的四个阶段为：（）、（）、功率 场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。

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绝缘栅双极型晶体管简称（）。

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