在多晶硅电池片上用等离子体进行的化学气相沉积法生产的氮化硅膜会产生哪两种效果？

两种效应：首先使用等离子体对氢进行活化，然后对晶粒进行钝化。晶界产生的电子能级，在激发下生成载流子，不仅能使短路电流密度减少，而且为了收集载流子而将pn结在晶界横断时，介于能级之间。由于有漏电电流流过，是所谓的反向饱和电流密度变大，从而减少了开路电压。由于活性化的氢有可能侵入到基片深处，所以不仅表面，在基片内部粒界的容积也可以有效地进行钝化，结果：是氢的钝化不仅增加了实际的开路电压，能级密度也同时减少，可用电子自旋共鸣法在实验中得到确认。其次，氮化硅膜中所含的固定载流子会产生表面电位，而由于表面电位的变化，会引起实际的表面复合速度下降。用等离子CVD法叠层得到的膜，从化学键上看，其组成比中发生移动的情况是很多的，且由于膜中所含的氢很多，根据制造方法可以产生正或负固定电子。
因此由于在表面形成电位势垒，妨碍了载流子的移动，故减少了实验的表面复合速度。结果：由于氧化硅膜的堆积，在600nm前后的中长波段范围内的响应效率增加的同时，还可以显著的改善300~450nm短波长范围的效率，这是由于减少了实际的表面复合速度引起的，其效果是正载流子的时候更显著。

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