基尔霍夫第一定律(基尔霍夫电流定律或节点电流定律)可以描述为:在电场中的任意节点处,流向节点的电流之和等于流出节点的()。
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1库伦的电量就是当电流为()安培时,在一秒钟流过导体截面的电量。
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当温度升高时半导体的导电能力会()。
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当流过某一阻值为100欧姆电阻的电流为5安培时,电阻的电功率为()。
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基尔霍夫第二定律(基尔霍夫电压定律或回路电压定律)可以描述为:在任一瞬时,沿任一闭合回路的电势增量的代数和等于()。
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根据晶体管的输出特性曲线,在放大区,当IB一定时,IC的值随UCE变化()。
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在满足米散射前提下,雷达波长λ一定时,质点半径r越大,与入射波能流方向之间的夹角为0°的散射在全部散射能量中所占得比重越大。
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对雷达发射脉冲峰值功率和波束宽度一定时,脉冲宽度τ增加,接收回波功率()。
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在满足瑞利散射前提下,雷达波长λ一定时,质点半径r越大,散射越强。
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