影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
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简述熔体法生长单晶的特点以及主要方法?
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半导体工业所用的硅单晶()是用CZ法生长的。
熔体生长方法有哪些?
单晶的主要特性及应用领域单晶的生长方法的分类是怎样的?
简述常用单晶生长方法
水热发生长单晶的优缺点是什么?
直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段?()
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