如图10-76所示，图中平板电容器的上部空间填充介电系数为ε0的介质，所对应的极板面积为S0，下部介质的介电系数为ε1，所对应的极板面积为S1，极板的间距为d，该电容器的电容量为（）。

如图10-74所示，真空中有一无限大带电平板，其上电荷密度为σ，在与其相距x的A点处电场强度为（）。

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如图10-73所示，给平行板电容器加电压V0，其极板上所受的电场力为（）。

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电路如图11-14所示，若发射极交流旁路电容C因介质失效而导致电容值近似为零，此时电路（）。

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如图10-80所示，平行板电容器中填充介质的电导率γ=1×10-7S／m，极板面积S=0．6m2，极板间距离d=3cm，则该电容器的漏电阻为（）。

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正弦电压u的幅值为10V，其波形如图10-24所示，施加于容抗XC=5Ω的电容元件上，通过该元件的电流iC与u取关联正方向，则电流iC=（）A。

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两个平行带电平板，每个平板的面积为S，相距d，且d＜＜S，两板间填充介电系数为ε的介质。这两个带电平板间的电容量是（）。

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如图所示的放大电路（）。

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正弦波振荡电路如图11-34所示，其振荡频率为（）。

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电路如图11-23所示，该电路为（）。

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