高频调谐功率放大器无发射结偏置时，硅管的导通角为（）。

高频调谐功率放大器无发射结偏置时，锗管的导通角为60° ~ 80°。

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高频功率放大器的发射结、集电结都是正向偏置。

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晶体管处于截止状态时，发射结和集电结的偏置情况是（）

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高频调谐功率放大器中，当频率升高时，晶体管的工作在过压状态时（）。

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高频调谐功率放大器中，当频率升高时，晶体管的uces的变大。

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若BJT发射结正向偏置，集电结反向偏置，则BJT处于（）状态。

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晶体管的集电结反向偏置、发射结正向偏置，它的工作状态是（）

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高频调谐功率放大器的动态特性中，确定动态特性曲线时，静态工作点Q的电流值为（）。

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当高频调谐功率放大器工作状态由临界状态过渡到过压状态时，Ic0，Ic1（）。

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