已知在紧束缚近似下,体心立方晶体s态电子构成的能带为: (1)求能带宽度, (2)求电子在能带中的运动速度,求带底和带顶的速度, (3)求电子的有效质量倒数张量,求带底和带顶的有效质量。
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用紧束缚模型求最近邻近似的s态电子能带公式,写出二维正三角形网络的能带,计算电子的速度及有效质量张量。
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已知硅的导带及其价带的有效态密度Nn,Np在室温(300K)时分别为2.8×1019cm-3,1.15×1019cm-3。试计算电子的有效质量mn及空穴的有效质量mp。已知h=6.63×10-34Js,kB=1.38×10-23J/K。
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已知能带 (1)在k空间中有效质量倒数矩阵,并将其对角化, (2)并找出主轴方向。
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应力张量为:,求主应力大小。
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证明六角晶体的介电常数张量为:
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若某半导体导带中电子出现几率为零,则此半导体必定()。
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对于自由电子气体,求证电阻率张量的对角元在外加磁场时不发生变化,即横向磁阻为零。
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什么叫张量?张量有什么性质?
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