用冷热探笔法测量（）半导体时，冷端带正电，热端带负电。

用冷热探笔法测量P型半导体时，为什么冷端带正电，热端带负电？

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冷热探笔法测试硅单晶的原理是什么？

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N型半导体的载流子为带正电的空穴。

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V族杂质在硅锗中电离，故放出电子产生导电导子形成正电中心，称为（），释放电子的过程称为（）。依靠（）的半导体称为n型半导体。

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将一带负电的物体M靠近一不带电的导体N，在N的左端感应出正电荷，右端感应出负电荷。若将导体N的左端接地（如图所示），则（）

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图示为一半径为a的、带有正电荷Q的导体球。球外有一内半径为b、外半径为c的不带电的同心导体球壳。设无限远处为电势零点，试求内球和球壳的电势。

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电类型测量的具体方法（），三探针法，四探针法，

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在一个带有正电荷的大导体球附近一点P处，放置一个电荷为+q的点电荷，测得点电荷受力为F；若考虑到电荷q不是足够小时，由E=F／q得出的值比原来P点的场强值大还是小？若大导体球上带负电荷，情况又如何？

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半径为R的导体球，带有正电荷Q，球外有一同心均匀电介质球壳，其半径分别为a和b，相对电容率为εr，如图所示。试求： 离球心为r处的电势V；

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