晶体硅片蚀刻清洗的生产工艺有酸性蚀刻和碱性蚀刻两种，其中酸性蚀刻是采用（）和硝酸的混合溶液，醋酸和磷酸当缓冲剂，一般去除约10-20μm厚的表面层。

属于酸性蚀刻液再生的方法有（）。

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能用酸性蚀刻液蚀刻的工件就绝对不用碱性蚀刻液。

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在酸性氯化铜蚀刻过程出现抗蚀剂破坏的原因可能有（）。

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酸性氯化铜蚀刻液的特点是蚀刻速率恒定，容易控制。

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酸性氯化铜蚀刻液用于蚀刻单面板和多层板的内层。

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所有金属抗蚀层都可适用碱性蚀刻液，大部分金属不可用酸性蚀刻液，金除外。

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酸性氯化铜蚀刻若操作体系的温度太高，会使（）。

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酸性氯化铜蚀刻体系中常用的氯化物的种类为（）。

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侧蚀程度的大小与蚀刻液的种类、组成和所使用的蚀刻工艺及设备有关。

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