单选题

抑制性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了下列哪种离子的通透性?()

AA

BB

CC

DD

正确答案

来源:www.examk.com

答案解析

相似试题
  • 抑制性突触后电位是由于突触后膜出现了去极化。

    判断题查看答案

  • 抑制性突触后电位是在突触后膜产生()

    单选题查看答案

  • 兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性()

    单选题查看答案

  • 抑制性突触后电位使突触后膜表现为()

    单选题查看答案

  • 兴奋性突触后电位产生的机制是由于突触前膜释放的递质提高了突触后膜对Na+、K+、Cl-的通透性尤其是提高了对()

    单选题查看答案

  • 兴奋性突触后电位是由于突触后膜出现了超级化。

    判断题查看答案

  • 能使突触后膜通透性改变,产生兴奋性突触后电位的主要离子是()

    单选题查看答案

  • 兴奋性突触后电位是在突触后膜产生()

    单选题查看答案

  • 关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的?()

    单选题查看答案