已知一高斯面所包围的体积内电量代数和Σqi=0，则可肯定：（）

已知高斯面上场强处处为零，在它所包含的空间内：（）

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高斯定理中的Σqi，是指：（）

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一空气平行板电容C=1.0μμF。充电到电量q=1.0×105C后将电源切断。

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一空气平行板电容C=1.0μμF。充电到电量q=1.0×105C后将电源切断。

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一空气平行板电容C=1.0μμF。充电到电量q=1.0×105C后将电源切断。

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在一均匀电介质球外放一点电荷q，分别用如图所示的两个闭合曲面S1和S2，求通过两闭合面的电场强度E通量，电位移D通量。在这种情况下，能否找到一个合适的闭合曲面，可以应用高斯定理求出闭合曲面上各点的场强？

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一空气平行板电容C=1.0μμF。充电到电量q=1.0×105C后将电源切断。若将两极板的距离增加一倍，计算距离改变前后电场能的变化。并解释其原因。

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如果在高斯面上的电场强度处处为0，能否可以判断此高斯面内一定没有净电荷？反过来，如果高斯面内没有净电荷，是否能够判断面上所有各点的电场强度为0？

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病毒是由一团缠绕的核酸和碳水化合物外壳所包围构成的。（）

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