A多子---少子---少子;
B少子---多子---多子;
C多子---多子---多子
D少子---少子---少子。
半导体受到光照时,由于吸收光子使其中的载流子浓度增大,因而导致材料的电导率增大,称为()效应。
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由漂移形成的电流是反向电流,它由()栽流子形成,其大小决定于(),而与外电场()。
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一块半导体材料,光照在材料中会产生非平衡载流子,若光照忽然停止t=τ后,其中非平衡载流子将衰减为原来的()。
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半导体本征载流子浓度的表达式及其费米能级
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光照增强的同时,载流子浓度不断的增加,同时光敏电阻的温度也在升高,从而导致载流子运动加剧,因此复合几率也增大,光电流呈()趋势。
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半导体受光照后电流增加的现象,称为()
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半导体受光照,在结区两边产生势垒的现象称()。
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外光电效应是指受光照物体(通常为半导体材料)电导率发生变化或产生光电动势的效应。
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半导体的界面或表面被()产生载流子后,生成的()和()由于载流子的作用向相反的方向漂移,引起载流子极化,从而产生了因光照射引起的电流。
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