为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时,采用正接线好?
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对高压电容式绝缘结构的试品,不仅要监测其绝缘介质损耗因数,还要监测其电容量的相对变化。()
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在现场测量小电容量试品的介质tanδ值时,受外界影响的因素很多,往往引入很多误差,这类试品主要是指()。
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为什么用兆欧表测量大容量试品的绝缘电阻时,表针会左右摆动?应如何解决?
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用兆欧表测量大容量试品的绝缘电阻时,测量完毕为什么兆欧表不能骤然停止,而必须先从试品上取下测量引线后再停止?
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在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时,使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些?
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测量互感器、套管等小电容量试品的介损tgδ时,如试品周围近距离内有大面积接地物体(墙壁、构架、栅栏等),通过()耦合,会影响测量结果的真实性;对大电感试品,应将线圈首尾(),以消除电感、电容对测量准确度的影响。
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有n个试品的介质损耗因数分别为tgδ1、tgδ2、tgδ3、……、tgδn,若将它们并联在一起测得的总tgδ值必为tgδ1、……、tgδn中的()。
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在有强电场干扰的现场,测量试品介质损耗因数tgδ,有多种抗干扰测量方法,并各有一定的局限性,但下列项目()的说法是错的。
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