在现场测量小电容量试品的介质tanδ值时，受外界影响的因素很多，往往引入很多误差，这类试品主要是指（）。

在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时，使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些？

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当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成（）。

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在现场相同条件下（好天气），用介损仪测量小电容试品的tgδ和Cx时，用正接线方法和反接线方法测量结果是完全相同的。

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有n个试品的介质损耗因数分别为tanδl、tanδ2、tanδ3、…、tanδn，若将它们并联在一起测得的总tanδ值必为tanδl、…、tanδn中的（）。

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采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。

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测量小容量试品的介质损耗因数时，为什么要求高压引线与试品的夹角不小于90°？

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在相同条件下，用QSI型西林电桥测量小电容试品的tgδT和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。

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测量互感器、套管等小电容量试品的介损tgδ时，如试品周围近距离内有大面积接地物体（墙壁、构架、栅栏等），通过（）耦合，会影响测量结果的真实性；对大电感试品，应将线圈首尾（），以消除电感、电容对测量准确度的影响。

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当被试品电容量很小，测量其介损tgδ时，介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。

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