在均匀磁场中，原来通电导体所受磁场力为F，如果电流强度增加到原来的2倍，而导线长度减少一半，则通电导体所受磁场力为（）。

在均匀磁场中，通电直导体所受电磁力，在导体与磁力线（）时最大。

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通电导体在磁场中总会受到磁场力的作用（）

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通电导体在磁场中受到磁场力的方向可用（）来确定。

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通电导体在磁场中总会受到磁场力的作用，因而一定会发生运动。

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通电导体在磁场中受到电磁力的大小与（）。

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在均匀磁场中，通电线圈的平面与磁力线平行时，线圈受到的转矩为（）。

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当导体相对于磁场运动而切割磁力线，在导体中会产生（　）。

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导体在磁场中运动，，将在导体中产生（）。

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霍尔式传感器的基本原理是：当电流流过放在磁场中的半导体晶片，且电流、磁场、晶片相互垂直时，在洛伦兹力作用下半导体基片上将产生一个（）。

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