采用的非晶硅组件全光照面积的光电转换效率（以含组件边框面积计算转换效率）不得低于（）。

非晶硅薄膜组件全光照面积的光电转换效率（含组件边框面积）应（）。

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光电建筑应用示范项目采用的晶体硅光伏组件全光照面积的光电转换效率（以含组件边框面积计算转换效率）不得低于（）。

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CIGS薄膜组件全光照面积的光电转换效率（含组件边框面积）应（）。

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《金太阳示范工程关键设备基本要求（2012年）》中规定，晶体硅组件全光照面积的光电转换效率（含组件边框面积）应（）。

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产品化的非晶硅太阳能电池光电转换效率为（）。

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高效单晶硅太阳电池的实验室最高光电转换效率已经接近（）。

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1954年，美国科学家首次在贝尔实验室制成了单晶硅太阳能电池，其光电转换效率为（）。

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金太阳和太阳能光电建筑应用示范项目中，非晶硅薄膜组件最高限价（）元/峰瓦。

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金太阳和太阳能光电建筑应用示范项目中，非晶硅薄膜组件衰减率2年内不高于（）。

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