CIGS薄膜组件全光照面积的光电转换效率（含组件边框面积）应（）。

非晶硅薄膜组件全光照面积的光电转换效率（含组件边框面积）应（）。

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采用的非晶硅组件全光照面积的光电转换效率（以含组件边框面积计算转换效率）不得低于（）。

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光电建筑应用示范项目采用的晶体硅光伏组件全光照面积的光电转换效率（以含组件边框面积计算转换效率）不得低于（）。

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《金太阳示范工程关键设备基本要求（2012年）》中规定，晶体硅组件全光照面积的光电转换效率（含组件边框面积）应（）。

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金太阳和太阳能光电建筑应用示范项目中，非晶硅薄膜组件最高限价（）元/峰瓦。

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金太阳和太阳能光电建筑应用示范项目中，非晶硅薄膜组件衰减率2年内不高于（）。

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非晶硅薄膜组件效率不低于（）。

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面积为10cm2的硅太阳能电池在100mw/cm2光照下，开路电压为600mV，短路电流为400mA，填充因子为0.8，则此硅太阳能电池的最大光电转换效率为（）

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与硅系薄膜不同，由于CIGS是（）的材料，因此不能用激光加工，可用机械扫描。

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