原材料用硅砂，先将其还原为纯度为97％-98％的（），为了进一步提高纯度，将金属硅与（）反应，生成（），再将其还原，热分解得到纯度为99.99999％以上的多晶硅。
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单晶硅棒和PN结的制造技术等，与（）以及（）等半导体制造技术有较多共同部分，且历史悠久，实际业绩突出。
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单晶硅电池的制造工艺主要流程为（）
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工业中单晶硅的制备方法主要有（）和区熔法（FZ法）
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目前多晶硅原料的制备方法主要有三氯氢硅法（改良西门子法）和（）两种方法。
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实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。
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生产多晶硅带的方法主要有定边喂膜法、蹼状枝晶法、绳带法和模板生长法，其中产出率最高的方法为（）
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由于（）效应及（）效应，使多晶体的变形抗力比单晶体大，其中，（）效应是多晶体加工硬化更主要的原因。
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将得到的多晶硅进行溶解，做成单晶硅，其方法有（）和浮游带熔融两种。
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