A不得超过40伏
B略小于150伏
C等于75伏
D大于150伏
硅稳压二极管应在反向击穿状态下工作。
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晶体二极管的最高反向电压为反向击穿电压值的()或()。
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单相桥式整流电路的变压器二次侧电压为20伏,每个整流二极管所承受的最大反向电压为()。
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单相桥式整流电路的变压器二次侧电压为20伏,每个整流二极管所承受的最大反向电压为()。
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单相桥式整流电路的变压器二次侧电压为20伏,每个整流二极管所承受的最大反向电压是()。
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当反向电压小于击穿电压是二极管处于()状态。
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当加在二极管两端的反向电压增高到超过某一值时,()急剧增大,此现称为二极管的反向击穿。
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硅稳压管工作在反向击穿区。
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二极管只要工作在反向击穿区,一定会被击穿。
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