在硅稳压管的简单并联型稳压电路中，稳压管应工作在反向击穿状态，并且应与负载电阻串联。
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在硅稳压管的简单并联型稳压电路中稳压管应工作在反向击穿状态，并且应与负载电阻串联。
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硅稳压二极管只要工作在击穿区就会立即损坏。
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一个硅二极管反向击穿电压为150伏，则其最高反向工作电压为（）。
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硅稳压管工作在反向击穿区。
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稳压二极管是利用PN结反向击穿的特性，运用特殊的工艺方法制成的。
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当反向电压小于击穿电压是二极管处于（）状态。
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二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。
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二极管工作在反向击穿区。
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