试述DRAM刷新过程和正常读/写过程的区别。
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有一个64K×16位的存储器,由16K×1位的DRAM芯片(芯片内是128×128结构)构成,存储器读/写周期为500ns,试问: 1)需要多少片DRAM芯片? 2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少? 3)如果采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少时间?
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动态RAM为什么要进行刷新?刷新过程和读操作比较有什么差别?
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简述8086读总线周期和写总线周期和引脚上的信号动尖态变化过程。8086的读周期时序和写周期时序的区别有哪些?
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在PC/XT机上的DRAM刷新,每()时间完成一行刷新。
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DRAM存储器采用何种方式刷新?有哪几种常用的刷新方式?
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DRAM的刷新时以()为单位的。
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DRAM为什么需要定时刷新?
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存储系统的刷新地址提供给所有DRAM芯片。
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