静态MOS存储器与动态MOS存储器存储信息的原理有何不同？为什么动态MOS存储器需要刷新？一般有哪几种刷新方式？
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有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？
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用64K×1位的DRAM芯片构成256K×8位的存储器。要求： （1）计算所需芯片数，并画出该存储器的逻辑框图。 （2）若采用异步刷新方式，每单元刷新间隔不超过2ms，则产生刷新信号的间隔是多少时间？若采用集中刷新方式，则存储器刷新一遍最少用多少读写周期？
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某机器的主存储器共32KB，由16片16K×1位（内部采用128×128存储阵列）的DRAM芯片字和位同时扩展构成。若采用集中式刷新方式，且刷新周期为2ms，那么所有存储单元刷新一遍需要（）个存储周期。
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有一个1024K×32位的存储器，由128K×8位的DRAM构成。问：（1）总共需要多少DRAM芯片？（2）采用异步刷新，如果单元刷新间隔不超过8ms，则刷新信号周期是多少？
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用8253-5通道1作为DRAM刷新定时器，动态存储器要求在2ms内对全部128行存储单元刷新一遍，假定计数用的时钟频率为2MHz，问该通道应工作在什么方式？请写出控制字和计数值（用16进制数表示）。
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用8253-5通道1作为DRAM刷新定时器，动态存储器要求在2ms内对全部128行存储单元刷新一遍，假定计数用的时钟频率为2MHz，问该通道应该工作在什么方式？请写出控制字和计数值（用16进制数表示）。
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数据结构的存储方式有哪几种？
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常用的存储器地址译码方式有哪几种？各自的特点是什么？
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