磁粉探伤前对被检试件表面应清除（）等，使用干粉法探伤面必须（）

磁粉探伤前对被检试件表面应清除（）等，使用干粉法探伤面必须（）

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荧光磁粉探伤中，被检试件上的紫外光强度不得低于（）LX

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荧光磁粉探伤中，被检试件上的紫外光强度不得低于（）LX

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为了在试件中得到纯横波，斜探头透声斜楔材料的纵波速度应小于被检试件中的（）。

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用作标准伤的试件必须与被检试件（）.

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做标准伤的试件必须与被检试件（）。

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按ZBJ04005-87标准，对被检物表面进行局部探伤时，准备工作范围应从探伤部位四周向外扩展（）mm

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磁粉探伤中，为有效地检出试件表面缺陷，宜采用直流电流磁化试件

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磁粉探伤中，为有效地检出试件表面缺陷，宜采用交流电流磁化试件

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