在常温下，硅二极管的开启电压是（）V，导通后在较大电流下时正向压降约（）V。

常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。

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硅二极管导通时的正向管压降约 （），锗二极管导通时的管压降约0.3V。

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硅二极管的正向电压约为0.2V。（）

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当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于（）

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对于硅三极管，发射极的死区电压约为（）V。

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写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。

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硅整流器中每个二极管在一个周期的连续导通的时间为（）。

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硅整流二极管的特性是单向导电性能。

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电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压UD(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。

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