对于硅三极管，发射极的死区电压约为（）V。

硅二极管的正向电压约为0.2V。（）

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三极管按照结构分有（）和（）两种类型；材料主要有（）和（）；其中（）材料的三极管发射结电阻（PN结）导通电压为0.6V，死区电压为（）。

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常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。

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当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于（）

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当NPN三极管发射结电压大于0.6V，集电结电压小于0.6V时，三极管处于（）。

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在常温下，硅二极管的开启电压是（）V，导通后在较大电流下时正向压降约（）V。

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当NPN三极管发射结电压大于0.6V；集电结电压也大于0.6V时，三极管的工作状态是（）。

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硅整流二极管承受正向电压的阻值很小，约为（）Ω，反向电阻则大于（）Ω，不符合要求时应予更换。

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二极管的死区电压就是反向偏置电压。

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