A有沉淀生成
B不一定有沉淀生成
C无沉淀生成
溶度积是难溶电解质饱和溶液中有关()的乘积,在一定温度下是一个()。
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在一定温度下,AgCl饱和溶液中Ag+及Cl-浓度的乘积是常数
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在一定温度下。当()反应达到平衡状态时,生成物浓度相应幂次的乘积与反应物浓度相应幂次的乘积()是一个常数。
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在一定温度下,强电解质AB的水溶液中,其他离子与A+和B-的浓度相比皆可忽略不计。已知A+与B-的运动速率在数值上存在v+=1.5v-的关系,则B-的迁移数t-=()
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在一定条件下,以0.020mol/LEDTA溶液滴定等浓度的金属离子M。设其条件稳定常数K’(MY)=108.0,当滴定误差Et=±0.1%时,滴定突跃范围有()个pM单位。
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在一定温度下,改变溶液的pH值,水的离子积不变。
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对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与()有关,而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于()的大小。
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在一定的pH和温度下改变离子强度(盐浓度)进行盐析,称作()
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在一定的温度下,电离平衡常数随溶液浓度的变化而变化。
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