单结晶体管内部有（）个PN结。

功率二极管内部有（）个PN结。

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晶闸管的内部结构上有（）个PN结。

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简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤。

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晶闸管具有（）个PN结。

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晶闸管具有（）个PN结。

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当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（）。

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单结晶闸管是种一具有（）特性的半导体器件。

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反向偏置pn结，当电压升高到某值时，反向电流急剧增加，这种现象称为pn结击穿，主要的击穿机理有两种：（）击穿和（）击穿。

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晶闸管的结构是由（）4层半导体材料组成，形成（）个PN结，它可以等效成一个（）型三极管和一个（）型三极管的组合。

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