反向偏置pn结，当电压升高到某值时，反向电流急剧增加，这种现象称为pn结击穿，主要的击穿机理有两种：（）击穿和（）击穿。

PN结反向偏置时，PN结的内电场（）。PN具有（）特性。

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PN结反向偏置时，应该是N区的电位比P区的电位（）。

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当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（）。

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简述PN结反向电压—电流特性；反向饱和电流及方向；PN结的电压—电流特性。

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在正常使用条件下，晶体管的发射结加正向小电压，称为（）偏置，集电结加反向大电压，称为反向偏置。

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PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向（），有利于（）的（）运动而不利于（）的（）；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向（），有利于（）的（）运动而不利于（）的（），这种情况下的电流称为（）电流。

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简述结型光电器件为何要加反向偏置电压。

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当PN结反向工作时，其结电容主要是（）

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PN结具有单向导电性，可通过在PN结两端加正向或反向电压来证实。（）

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