PN结位于发射区与基区之间被称为（）。

晶体管中的少子在渡越（）的过程中会发生（），从而使到达集电结的少子比从发射结注入基区的少子（）。

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由于三极管有发射结和集电结两个PN结，因此，可根据PN结（）的特点，利用万用表的欧姆挡来判别三极管是NPN型还是PNP型。

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三极管按照结构分有（）和（）两种类型；材料主要有（）和（）；其中（）材料的三极管发射结电阻（PN结）导通电压为0.6V，死区电压为（）。

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对于结型场效应管，栅源极之间的PN结（）

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PN结正向偏置时，其内电场被（）。

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反向偏置pn结，当电压升高到某值时，反向电流急剧增加，这种现象称为pn结击穿，主要的击穿机理有两种：（）击穿和（）击穿。

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受光照射，使PN结产生电动势，将光能转化为电能的效应称为（）效应。

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三极管的发射区（）浓度很高，而基区很薄。

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PN结外加正向电压，即电源的正极接P区，电源的负极接N区，这种接法称为（）或（）。

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