在半导体PN结附近总是堆积着正、负电荷，在N区内有正电荷，P区内有负电荷，两区电荷的代数和为零。我们把PN结看成是一对带正、负电荷的无限大平板，它们相互接触（见本题图）。取坐标x的原点在P、N区的交界面上，N区的范围是-xN≤x≤0，P区的范围是0≤x≤xP设两区内电荷体分布都是均匀的： 这里nN、nP≤是常量，且nNxN=nPxP（两区电荷数量相等）。试证明： （1）电场的分布为 并画出pe（x）和E（x）随x变化的曲线来。 （2）PN结内的电势分布为 这公式是以何处为电势零点的？PN结两侧的电势差多少？
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PN结是如何形成的？它具有什么特性？
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为什么采用异质结可以提高太阳能电池的效率？
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解释何为晶格振动模式？格波的波矢数和模式数如何确定？为什么晶体中有3PN种振动模式（或格波）？
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PN结的基本特性是（）
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何谓PN结的击穿特性？
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有人将两亲本植株杂交，获得的100颗种子种下去，结果为：结红果叶上有短毛37株、结红果叶上无毛19株、结红果叶上有长毛18株，结黄果叶上有短毛13株、结黄果叶上有长毛7株、结黄果叶片无毛6株。下列说法中不正确的是（）
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以在P型材料形成的PN结为例，简述光生伏特效应？
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对于概率矩阵P，当n→∞时，Pn称之为P的（）
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