费米能级Ef的意义是电子占据率为（）时所对应的能级。

计算电子占据比EF高2KT、10KT的能级的几率和空穴占据比EF低2KT、10KT能级的几率。

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证明：对于某n型半导体，试证明其费米能级在其本征半导体的费米能级之上，即EFn>EF。

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对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度上升而（）

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P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。

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半导体的附加能级使其电子脱出功减小，Ef 能级升高。

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计算含有施主杂质浓度为ND=9×1015cm-3，及受主杂质浓度为1.1×1016cm3，的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

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为什么不能用费米能级作为非平衡载流子浓度的标准而要引入准费米能级？费米能级和准费米能级有何区别？

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当温度一定时，杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定？试把强n，弱n型半导体与强p，弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。

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N型半导体的费米能级处于禁带（）。

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