半导体本征载流子浓度的表达式及其费米能级
简答题查看答案
对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度上升而（）
单选题查看答案
（）杂质可显著改变载流子浓度；（）杂质可显著改变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心。
填空题查看答案
P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。
填空题查看答案
计算含有施主杂质浓度为ND=9×1015cm-3，及受主杂质浓度为1.1×1016cm3，的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。
简答题查看答案
当温度一定时，杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定？试把强n，弱n型半导体与强p，弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。
简答题查看答案
掺有浓度为每立方米为1.5×1023砷原子和立方米5×1022铟的锗材料，分别计算①300K；②600K时费米能级的位置及多子和少子浓度。
简答题查看答案
半导体受光照、外电场作用，载流子浓度就要发生变化，这时半导体处于非平衡态。光照时（）的浓度几乎不变，（）的浓度却大大增加，因而可以说，一切半导体光电器件对光的响应都是（）的行为。请选择正确的答案（）
单选题查看答案
费米能级Ef的意义是电子占据率为（）时所对应的能级。
单选题查看答案