利用光电效应可制成半导体光敏电阻。

利用（）制成的光电举件有光敏二极管、光敏三极管和光电池等：利用（）可制成半导体光敏电阻；利用（）制成的光电铝件有真空光电管、充气光电管和光电倍增管。

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利用光生伏特效应制成的光电器件有光敏二极管、光敏三极管和（）等。

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利用导电材料的（）随本身温度而变化的温度电阻效应制成的传感器，称为热电阻式传感器。

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利用（）制成的光电器件有真空光电管、充气光电管和光电倍增管等。

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利用外光电效应制成的光电器件有真空光电管、充气光电管和光电倍增管等。

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热电阻式传感器是基于导电材料的（）随本身温度而变化的温度电阻效应制成的传感器。

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压阻式微传感器是在单晶半导体膜片适当部位扩散形成力敏电阻而构成的。

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压阻效应中由于几何形状改变引起的电阻变化很小

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金属丝的电阻应变效应中，引起电阻改变的主要原因是电阻率的改变

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