利用()制成的光电举件有光敏二极管、光敏三极管和光电池等:利用()可制成半导体光敏电阻;利用()制成的光电铝件有真空光电管、充气光电管和光电倍增管。
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利用光电效应可制成半导体光敏电阻。
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利用外光电效应制成的光电器件有真空光电管、充气光电管和光电倍增管等。
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利用()制成的光电器件有真空光电管、充气光电管和光电倍增管等。
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光电器件的物理基础是热电效应。
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目前的固体图像传感器主要有三种类型:第一种是电视摄像机MOS(金属氧化物半导体)图像传感器,又称为SSPA(自扫描光电二极管阵列),第二种是CCD图像传感器,第三种是CID(电荷注入器件)图像传感器。
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当光敏元件加一定电压时,光电流I与光敏元件上光照度E之间的关系,称为()。
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利用导电材料的()随本身温度而变化的温度电阻效应制成的传感器,称为热电阻式传感器。
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环境温度变化后,光敏元件的光学性质也将随之改变,这种现象称为()。温度变化会引起光敏元件的光电流及光谱特性等变化。
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