单选题
A桥体加反干扰源
B将试验电源移相或选相、倒相
C改用与干扰源同步的电源作试验电源
D将电桥移位，远离干扰源
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答案解析
略
相似试题
测量介质损耗因数，通常不能发现的设备绝缘缺陷是（）
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现场用QS1型西林电桥测量设备绝缘的tg∮，当出现较大电场干扰时，则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下，所测得的tg∮值均比真实的tg∮值大。
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介质损耗因数tg∮试验，可以发现设备绝缘整体受潮、劣化变质、以及小体积设备绝缘的某些局部缺陷。
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在有强电场干扰的现场，测量试品介质损耗因数tgδ，有多种抗干扰测量方法，并各有一定的局限性，但下列项目（）的说法是错的
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对高压电容式绝缘结构的套管、互感受器及耦合电容器，不仅要监测其绝缘介质损耗因数，还要监测其电容量的相对变化。
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当设备各部分的介质损耗因数差别较大时，其综合的g∮值接近于并联电介质中电容量最大部分的介质损耗数值。
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在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。
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在一般情况下，介质损耗tg∮试验主要反映设备绝缘的整体缺陷，而对局部缺陷反映不灵敏。
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适用QSI型西林电桥测量试品tg∮，接通或断开电源时，检流计灵敏度应在中间位置。
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