发光二极管的导通压降为（）

硅二极管导通时的正向管压降约 （），锗二极管导通时的管压降约0.3V。

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常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。

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从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。

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在常温下，硅二极管的开启电压是（）V，导通后在较大电流下时正向压降约（）V。

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带电感性负载的可控硅整流电路加入（续流）二极管后，晶闸管的导通角比没有二极管前减小了，此时电路的功率因数减小了。

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为兼顾效率和功率，高频功率放大器的导通角θ一般可取（）左右。

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发光二极管的正向压降为（）左右。

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若初级线圈的导通时间为5ms，发动机转速为3000r/min，则闭合角为（）。

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晶闸管的导通条件是什么？ 导通后流过晶闸管的电流取决于什么？ 晶闸管由导通转变为阻断的条件是什么？ 阻断后它所承受的电压大小取决于什么？

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