有一个64K×16位的存储器,由16K×1位的DRAM芯片(芯片内是128×128结构)构成,存储器读/写周期为500ns,试问: 1)需要多少片DRAM芯片? 2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少? 3)如果采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少时间?
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用16K×1位的DRAM芯片组成64K×8位的存储器,要求画出该存储器组成的逻辑框图。
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用16K x 1位的DRAM芯片组成64K x 8位的存储器,要求画出该存储器组成的逻辑框图。
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构成8086系统最大存储器容量需用()片64K×1位的存储器芯片。
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用16K×16位的SRAM芯片构成64K×32位的存储器。要求画出该存储器的组成逻辑框图。
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有一个1024K×32位的存储器,由128K×8位的DRAM构成。问:(1)总共需要多少DRAM芯片?(2)采用异步刷新,如果单元刷新间隔不超过8ms,则刷新信号周期是多少?
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设存储器的地址线为20条,存储单元为字节,使用全译码方式组成存储器,该系统构成最大容量需要64K×1位的存储器芯片的数量是()
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用16k×8位的存储芯片,组成64k×16位的存储器,需要用()片。
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用16k×8位的存储芯片,组成64k×16位的存储器,需要用多少片?
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