对于结型场效应管,栅源极之间的PN结()
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场效应管中,Idss表示栅源电压为零时的()电流。
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当栅源电压等于零时,增强型FET()导电沟道,结型FET的沟道电阻()。
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场效应管按结构分为结型和()。
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由N沟道耗尽型场效应管组成的电路如下图所示。设UGSQ=-0.2V, Gm=1.2ms。 试求: (1)电路中的静态工作点IDQ和UGSQ之值 (2)画出微变等效电路图 (3)电压放大倍数Áu (4)输入电阻Ri和输出电阻RO
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如图所示为N沟道结型结构的场效应管放大电路中,已知VP=-4v,IDSS=1mA, VDD=16v, RG1=160kΩ,RG2=40kΩ,RG=1MΩ,RD=10kΩ,RS=8kΩ,RL=1MΩ。 试求输入电阻Ri、输出电阻Ro
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场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的()。
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如图所示为N沟道结型结构的场效应管放大电路中,已知VP=-4v,IDSS=1mA,VDD=16v,RG1=160kΩ,RG2=40kΩ,RG=1MΩ,RD=10kΩ,RS=8kΩ,RL=1MΩ。 试求: (1)静态工作点Q (2)画出微变等效电路 (3)电压放大倍数Au (4)输入电阻Ri、输出电阻Ro
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为什么结型光电器件在正向偏置时没有明显的光电效应?结型光电器件必须工作在哪种偏置状态?
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