场效应管中，Idss表示栅源电压为零时的（）电流。

结型场效应管用作放大时，其栅源极之间应加（）电压。

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根据栅—源电压为零时，导电沟道是否存在，将场效应管分为（）和耗尽型。

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当栅源电压等于零时，增强型FET（）导电沟道，结型FET的沟道电阻（）。

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对于结型场效应管，栅源极之间的PN结（）

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如图所示为N沟道结型结构的场效应管放大电路中，已知VP=-4v，IDSS=1mA，VDD=16v，RG1=160kΩ，RG2=40kΩ，RG=1MΩ，RD=10kΩ，RS=8kΩ，RL=1MΩ。 试求： （1）静态工作点Q  （2）画出微变等效电路  （3）电压放大倍数Au  （4）输入电阻Ri、输出电阻Ro 

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对于耗尽型绝缘栅场效应管，不论栅—源电压UGS为正，还是为负或零，都能起到控制电流ID的作用。

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如图所示为N沟道结型结构的场效应管放大电路中，已知VP=-4v，IDSS=1mA， VDD=16v， RG1=160kΩ，RG2=40kΩ，RG=1MΩ，RD=10kΩ，RS=8kΩ，RL=1MΩ。 试求输入电阻Ri、输出电阻Ro

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晶体场理论认为，当配合物的晶体场稳定化能为零时，该配合物不能稳定存在。

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场效应管工作在非饱和区时，其电压电流之间呈现（）关系。

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