A对
B错
迁移率反映的是载流子()在单位电场作用下的平均漂移速度。
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载流子在电场作用下的运动为()。
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在PN结的形成过程中,载流子扩散运动是()作用下产生的,漂移运动是()作用下产生的。
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()是载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度。
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()是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量,()是反映有浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量,联系两者的关系式是(),称为()关系式。
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PN结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
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半导体的界面或表面被()产生载流子后,生成的()和()由于载流子的作用向相反的方向漂移,引起载流子极化,从而产生了因光照射引起的电流。
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当正离子在电场力的作用下,高速撞击阴极,或自由电子高速撞击阳极,可使金属表面发射电子,这个过程称()发射。
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在室温下,高纯锗的电子迁移率μn=3900cm2/v˙s,设电子的有效质量为mn=3×10-29g,求: (1)热运动速度平均值 (2)平均自由时间 (3)平均自由路程 (4)在外加电场为10/Vcm时的漂移速度
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