少数载流子在电场力作用下的运动，称漂移运动。

迁移率反映的是载流子（）在单位电场作用下的平均漂移速度。

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载流子在电场作用下的运动为（）。

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在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是（）作用下产生的，漂移运动是（）作用下产生的。

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（）是载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度。

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（）是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量，（）是反映有浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量，联系两者的关系式是（），称为（）关系式。

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PN结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。

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半导体的界面或表面被（）产生载流子后，生成的（）和（）由于载流子的作用向相反的方向漂移，引起载流子极化，从而产生了因光照射引起的电流。

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当正离子在电场力的作用下，高速撞击阴极，或自由电子高速撞击阳极，可使金属表面发射电子，这个过程称（）发射。

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在室温下，高纯锗的电子迁移率μn=3900cm2/v˙s，设电子的有效质量为mn=3×10-29g，求： （1）热运动速度平均值  （2）平均自由时间 （3）平均自由路程  （4）在外加电场为10/Vcm时的漂移速度

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