硅主要是由（）装置中加注消泡剂引起的。少量硅沉积在催化剂孔口，导致活性下降，床层压降上升。

硅会导致催化剂活性下降，床层压降上升，而原料中的硅主要是由（）装置中加注消泡剂引起的

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加氢装置在硫化过程中，提温和提高注硫量可同时进行。

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消泡剂注入部位是（）。

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加消泡剂作用是防止胺液发泡、影响脱硫效果。

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消泡剂通常是通过消泡剂微粒接触气泡表面来降低接触点上液膜的（）达到消泡的目的。

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循环压缩机喘振通常是由（）引起。

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裂解汽油加氢装置在运行过程中二段反应器压差增大的主要是通过反应器床层物料流量或循环氢流量增加等原因引起的反应器压力降增大。

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新氢压缩机排气温度高，是由工艺系统故障引起的。

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加氢装置引起循环氢压缩机组振动的原因可能有（）。

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