消泡剂注入部位是（）。

加消泡剂作用是防止胺液发泡、影响脱硫效果。

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消泡剂通常是通过消泡剂微粒接触气泡表面来降低接触点上液膜的（）达到消泡的目的。

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硅主要是由（）装置中加注消泡剂引起的。少量硅沉积在催化剂孔口，导致活性下降，床层压降上升。

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硅会导致催化剂活性下降，床层压降上升，而原料中的硅主要是由（）装置中加注消泡剂引起的

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塔顶注入缓蚀剂的目的是：（）。

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注入（）的主要目的是，降低系统压降和防止设备管道堵塞。

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加氢装置塔顶注入缓蚀剂的目的是（），保护管线、设备。

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反-2101冷氢注入点有（）个

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裂解汽油加氢装置缓蚀剂注入点为（）。

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