半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。

电子能级间隔越小，跃迁时吸收光子的（）

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处于高能级E2的电子，在未受外界激发的情况下，自发地跃迁到低能级E1，从而发射出一个能量为hf（=E2-E1）的光子的过程称为（）

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处于高能级E2的电子，在未受外界激发的情况下，自发地跃迁到低能级E1，从而发射出一个能量为hf（=E2-E1）的光子的过程称为（）。

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电子跃迁有哪几种类型？跃迁所需的能量大小顺序如何？具有什么样结构的化合物产生紫外吸收光谱？紫外吸收光谱有何特征？

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有机化合物吸收光能后，可能产生四种类型的电子跃迁。①σ→σ*②n→σ*③π→π*④n→π*，这些电子跃迁所需能量的大小顺序为（）

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当物质中的电子吸收足够高的光子能量，电子将逸出物质表面成为真空中的自由电子，这种现象称为（）

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在光的作用下，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，引起物体电阻率的变化，这种现象称为（）。

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从能带角度来看，锗、硅属于（）半导体，而砷化稼属于（）半导体，后者有利于光子的吸收和发射。

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半导体受到光照时，由于吸收光子使其中的载流子浓度增大，因而导致材料的电导率增大，称为（）效应。

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