简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。

门极可关断晶闸管GTO是晶闸管的一种派生器件，但可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。该器件电压、电流容量大，与普通晶闸管接近，在兆瓦级以上的大功率场合有较多应用。
电力晶体管GTR是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管，开关特性好，在中、小功率范围内广泛使用。
场效应管MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，所需驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但电流容量小，耐压低，一般用于功率不超过10kw的系统。
绝缘栅双极晶体管IGBT综合了GTR和MOSFET的优点，具有良好的特性。已取代了GTR和一部分MOSFET的市场，成为中小功率系统的主导器件，并正在提高电压、电流容量，将取代GTO的地位。

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